Особенности монтажа силовых компонентов в планарных корпусах PQFN
тремление разработчиков электроники уменьшить размеры компонентов, снизить сопротивление и индуктивность выводов привело к созданию целого ряда безвыводных корпусов. Одним из них стал PQFN (Power Quad Flat No-Lead). Это пластиковый корпус, предназначенный для поверхностного монтажа. Выводы в нем распложены с нижней стороны и представляют собой контактные площадки (рисунок 1).
Рис. 1. Внешний вид PQFP с одной контактной площадкой
Один из выводов выполнен в виде массивного теплоотводящего контакта. Именно на нем расположен кристалл (рисунок 2). Этим достигается не только наилучший отвод тепла от кристалла, но и снижается индуктивность контакта и его сопротивление. Остальные выводы корпуса разварены на кристалл с помощью проводников. Вся конструкция покрыта пластиком.
Рис. 2. Внутренняя структура PQFN корпуса на примере полевого транзистора
Транзисторы в корпусе PQFN, обладая отличными характеристиками, находят применение в самых различных областях: в промышленной и мобильной электронике, в автомобильной и коммерческой технике. Однако монтаж и контроль пайки таких компонентов является более сложным техническим процессом по сравнению с монтажом компонентов, выполненных в обычных выводных корпусах.
Особенности монтажа корпусов PQFN
Выбор материала печатной платы и типа финишного покрытия контактных площадок. PQFN-корпус разработан для использования с платами из стеклотекстолита (например, FR-4). Тип финишного покрытия может быть выбран из стандартного набора. Необходимо учитывать, что параметры покрытия контактных площадок могут оказывать существенное влияние на качество пайки, поэтому необходим обязательный конечный контроль качества паяных соединений.
Особенности разработки посадочных мест для PQFN-корпусов. При проектировании посадочных мест следует особое внимание уделять размерам контактных площадок и способу выполнения паяльной маски.
Увеличение размеров контактных площадок приводит к улучшению электрических характеристик (уменьшение индуктивности, сопротивления). Однако, значительное уменьшение расстояний между площадками может привести к коротким замыканиям при растекании паяльной пасты.
Как правило, при проектировании посадочного места для большой теплоотводящей площадки используется маска без зазоров (SMD- solder-mask-defined), для остальных выводов используется маска с зазором (NSMD- non-solder-mask-defined), см. рисунок 3. Маска без зазора позволяет ограничить растекание паяльной пасты, что эффективно препятствует возникновению коротких замыканий между большой контактной площадкой и другими выводами корпуса. Для обычных выводов корпуса маска с зазором не ограничивает растекание пасты, что увеличивает площадь поверхности контакта, делая его более надежным.
Рис. 3. Различные типы масок: SMD (а) NSMD (б)
Таким образом, проектирование посадочного места является сложной задачей. Производители, в том числе и International Rectifier, часто предлагают рекомендуемые посадочные места (рисунок 4). Стоит помнить, что рекомендуемый вариант посадочного места строго соответствует рекомендуемому шаблону. Если используется другой шаблон, размеры контактных площадок следует также корректировать.
Рис. 4. Размеры корпуса PQFN 3x3 и рекомендуемое посадочное место
Особенности разработки трафаретов. Для нанесения паяльной пасты используется трафарет. Именно трафарет обеспечивает дозирование паяльной пасты и ее размещение на плате. Чем больше окна в трафарете, тем больше наносится пасты.
При излишке пасты она может выдавливаться за границы контактных площадок и вызывать короткие замыкания. При недостатке паяльной пасты паяное соединение может быть непрочным. Еще одним негативным результатом избытка пасты может стать смещение компонента. При установке на плату корпус оказывается как бы на «подушке» из паяльной пасты (рисунок 5), при расплавлении пасты силы поверхностного натяжения могут сместить компонент. Чтобы такого не происходило, трафарет разбивают на секции (рисунок 6). В итоге необходимо искать оптимальный вариант размеров и количества окон в трафарете.
Рис. 5. Расположение компонента при избытке паяльной пасты
Рис. 6. Варианты трафаретов для корпуса PQFP 3x3 (толщина трафарета 0,127 мм)
Важным параметром трафарета является толщина. Диапазон толщин составляет 0,100...0,250мм. Лучшие результаты дает толщина в пределах 0,125...0,200мм. При толщине свыше 0,250мм может произойти растекание пасты, при толщине менее 0,100мм пасты может не хватить.
Для толщины трафарета 0,127мм оптимальное соотношение площадей «окошко/контакт» составляет 75% для теплоотводящего контакта и 80% для остальных выводов.
Таким образом, геометрические размеры и толщина находятся в зависимости друг от друга и от размеров посадочного места. International Rectifier совместно с рекомендованным посадочным местом предлагает и шаблон трафарета (рисунок 6). Данный шаблон рассчитан для толщины 0,127мм, изменение толщины требует корректировки размеров окон.
Особенности выбора паяльной пасты. Инженеры International Rectifier исследовали паяльные пасты различных производителей с отличающимися свойствами. В общем случае, безусадочные пасты более устойчивы к выдавливанию. Предпочтительными являются пасты Sn0.95 Ag3.0 Cu0.5.
Кроме того, промывка под корпусом PQFN усложнена, поэтому безотмывочные пасты являются более подходящими.
Требования к размещению PQFN-корпусов. Для правильного монтажа компонента необходимо знать нумерацию выводов. Существует два способа определения нумерации выводов: с помощью стандартной маркировки первого вывода на верхней стороне корпуса (рисунок 7а) и специальной формы нижней большой контактной площадки (рисунок 7б).
Рис. 7. Нумерация выводов корпуса PQFN
Требования к расположению элементов PQFN носят жесткий характер. Точность установки должна быть не менее 0,050мм, несмотря на то, что силы поверхностного натяжения могут выровнять корпус при смещении вплоть до 0,3мм. Неточная установка корпуса может привести к некачественной пайке, коротким замыканиям и перекосу корпуса.
При необходимости несколько компонентов в PQFN-корпусах могут быть расположены в непосредственной близости друг от друга (рисунок 8), но не ближе, чем 0,5мм. Более плотное расположение мешает нанесению пасты, кроме того, демонтаж и перепайка близкорасположенных компонентов становятся крайне неудобными.
Рис. 8. Параллельное расположение компонентов
Пайка и демонтаж PQFN-корпусов. Компоненты International Rectifier соответствуют стандарту J STD 020C. Способы пайки могут быть различными: от конвекционной печи до инфракрасной пайки. Бессвинцовые корпуса отлично справляются с кратковременными разогревами до 260°С, а свинцовые- с температурами до 240°С.
Стандарт J STD 020C (IPC/JDEC) устанавливает правила повторной пайки компонентов. При повторной пайке (например, когда паяются компоненты сначала с одной стороны платы, а потом- с другой), элементы испытывают дополнительный стресс. Компоненты International Rectifier выдерживают три процесса пайки.
Для демонтажа PQFN-корпуса необходимо использовать два типа подогрева: подогрев платы (общий подогрев) при помощи воздуха или плитки и местный разогрев при помощи воздуха или инфракрасного паяльника.
После монтажа любого устройства необходимо провести контроль качества пайки. Для безвыводных корпусов он имеет свои особенности.
Контроль качества пайки корпусов PQFN
Соблюдение вышеизложенных правил и рекомендаций значительно снижает риск возникновения некачественной пайки, однако не исключает его полностью. Всегда существует, хоть и малая, вероятность возникновения брака. Есть несколько типовых видов брака:
- Сдвиг корпуса при пайке. Так как расположение выводов корпуса несимметрично, то возникающие при пайке силы поверхностного натяжения могут сместить корпус по оси X или Y.
- Перекос корпуса. Такой брак возможен под действием сил натяжения, особенно при неравномерности нанесения паяльной пасты (рисунок 6). В результате этого корпус расположен не горизонтально.
- Выдавливание припоя за границы контактных площадок как наружу, так и под корпус. При этом возможно возникновение внешних и внутренних коротких замыканий.
- Наличие пустот под корпусом. При плавлении паяльной пасты под корпус могут проникать газы и образовывать пустоты. В этом случае площадь паяного контакта снижается, что может катастрофически сказаться на теплоотдаче и электрических свойствах соединения.
- Плохой контакт (непропай) может возникать как при простой нехватке паяльной пасты, так и при перекосе корпуса. В результате контакт оказывается припаянным только частично.
Для обнаружения таких недостатков необходимо проводить контроль пайки. Особенности конструкции PQFN таковы, что методов контроля, применяемых для обычных компонентов, оказывается недостаточно. Помимо общепринятого визуального осмотра, используется рентгеновский метод контроля.
Методы контроля качества пайки
Визуальный осмотр является простейшим и широко распространенным методом контроля. Он может проводиться как без помощи дополнительного оборудования, так и при помощи автоматических установок. Он позволяет определять правильность расположения компонента (предотвращать смещения и перекос корпуса), обнаруживать короткие замыкания, образовавшиеся при выдавливании припоя. Отчасти с помощью осмотра можно определить качество припайки боковой части выводов. Однако основная часть пайки остается скрытой под корпусом и не доступна для внешнего осмотра. Для обнаружения скрытых недостатков используют рентгеновский метод.
Рентгеновский метод является единственным надежным способом обнаружения скрытых недостатков, таких как внутренние пустоты, недостаток припоя, внутренние короткие замыкания, смещения корпуса. Хотя существуют сложные автоматические комплексы с трехмерным рентгеновским сканированием, для определения качества пайки хватает и двухмерного.
Визуальный осмотр качественно припаянного компонента (рисунок 9а) не обнаруживает сильных перекосов и смещений корпуса. Припой должен равномерно покрывать видимую часть выводов без существенного выдавливания из-под корпуса. Рентгеновский снимок (рисунок 9б) подтверждает правильность расположения корпуса. Места, покрытые припоем, имеют более темный цвет. Припой на снимке должен покрывать большую центральную площадку и остальные выводы. Светлых пятен, соответствующих пузырькам воздуха и пустотам, должно быть как можно меньше. Выдавленный припой и короткие замыкания при качественной пайке отсутствуют.
Рис. 9. Пример качественно выполненной пайки
При некачественном монтаже (рисунок 10) рентгеновское сканирование может явно показать недостаток припоя - непокрытый пайкой вывод имеет более светлый цвет.
Рис. 10. Пример недостатка припоя
Критерии отбраковки изделий
Существуют рекомендации по отбраковке некачественных паяных соединений (таблица 1). Анализ этих рекомендаций показывает, что неприемлемой считается пайка, у которой соотношение площадей «пайка/контакт» составляет менее чем 50% для большого теплоотводящего контакта и 75% - для остальных Наличие коротких замыканий, смещение или перекос корпуса более чем на 3 градуса также считаются недопустимыми.
Таблица 1. Критерии отбраковки паяных соединений| Тип брака | Критерий отбраковки |
|---|---|
| Смещение корпуса | Чрезмерное смещение выводов относительно контактных площадок: при перекрытии менее чем 75% для выводов затвора или истока при перекрытии менее 50% для выводов стока |
| Перекос или поворот корпуса | Поворот корпуса на 180 градусов Перекос корпуса относительно платы более чем на 3 градуса |
| Выдавливание припоя, замыкания между выводами | Наличие коротких замыканий между выводами корпуса Наличие большых капель припоя, которые могут привести к короткому замыканию |
| Пустоты под корпусом | Площадь пайки составляет менее 75% |
| Недостаток припоя | Площадь пайки составляет менее 75% Наличие незапаянных выводов |
PQFN-транзисторы от International Rectifier
International Rectifier, являясь одним из лидеров силовой полупроводниковой техники, выпускает широкий спектр силовых транзисторов, в том числе - в корпусах PQFN. Несмотря на малые размеры, предельная мощность таких транзисторов составляет единицы ватт.
Силовые P-MOSFET способны коммутировать напряжения до 30 В и проводить токи до 21 А (таблица 2). Транзистор IRLH2242 предназначен для работы с логическими уровнями 3,3 В.
Таблица 2. Транзисторы в корпусе PQFN| Наименование | Корпус | Тип | Uси макс, В | Uзи макс, В | Rси макс, мОм | Ic, A (при TA) | Qg, нКл (тип) | Pd, Вт TA=25°C | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Uзи=2,5 В | Uзи=4,5 В | Uзи=10 В | 25°C | 70°C | |||||||
| P-MOSFET | |||||||||||
| IRFH9310 | PQFN 5 x 6 A | P-тип | -30 | 20 | 7,1 | 4,6 | -21 | -17 | 58 | 3,1 | |
| IRFHM9331 | PQFN 3 x 3 | P-тип | -30 | 25 | 14,6 | -11 | -9 | 16 | 2,8 | ||
| IRFHS9301 | PQFN 2 x 2 | P-тип | -30 | 20 | 65 | 37 | -6 | -4,8 | 6,9 | 2,1 | |
| IRLHS2242 | PQFN 2 x 2 | P-тип | -20 | 12 | 53 | 31 | -7,2 | -5,8 | 12 | 2,1 | |
| N-MOSFET | |||||||||||
| IRFH6200 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 20 | 12 | 1,5 | 0,99 | 45 | 36 | 155 | 3,6 | |
| IRLHM620 | PQFN 3,3x3,3 | N-тип | 20 | 12 | 3,5 | 2,5 | 26 | 21 | 52 | 2,7 | |
| IRLHS6242 | PQFN 2 x 2 | N-тип | 20 | 12 | 15,5 | 11,7 | 10 | 8,3 | 14 | 1,98 | |
| IRLH6224 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 20 | 12 | 4 | 3 | 28 | 22 | 86 | 3,6 | |
| IRFH4201 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 25 | 20 | 1,25 | 0,95 | 49 | 46 | 3,5 | ||
| IRFH5250 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 25 | 20 | 1,75 | 1,15 | 45 | 31 | 52 | 3,6 | |
| IRFHS8242 | PQFN 2 x 2 | N-тип | 25 | 20 | 21 | 13 | 9,9 | 8 | 4,3 | 2,1 | |
| IRFH4234 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 25 | 20 | 7,3 | 4,6 | 22 | 8,2 | 3,5 | ||
| IRFH8311 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 3,2 | 2,1 | 32 | 26 | 30 | 3,6 | |
| IRFH8318 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 4,6 | 3,1 | 27 | 21 | 41 | 3,6 | |
| IRFH8316 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 4,3 | 2,95 | 27 | 21 | 30 | 3,6 | |
| IRFHS8342 | PQFN 2 x 2 | N-тип | 30 | 20 | 25 | 16 | 7,1 | 4,2 | 2,1 | ||
| IRFH3702 | PQFN 3 x 3 | N-тип | 30 | 20 | 11,8 | 7,1 | 16 | 12 | 9,6 | 2,8 | |
| IRFHM831 | PQFN 3,3x3,3 | N-тип | 30 | 20 | 12,6 | 7,8 | 14 | 11 | 7,3 | 2,5 | |
| IRLHM630 | PQFN 3,3x3,3 | N-тип | 30 | 12 | 4,5 | 3,5 | 21 | 17 | 41 | 2,7 | |
| IRFHM830 | PQFN 3,3x3,3 | N-тип | 30 | 20 | 6 | 3,8 | 21 | 17 | 31 | 2,7 | |
| IRFH5301 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 30 | 20 | 2,9 | 1,85 | 35 | 28 | 37 | 3,6 | |
| IRFHM8326 | PQFN 3,3x3,3 | N-тип | 30 | 20 | 6,7 | 4,7 | 19 | 15 | 20 | 2,8 | |
| IRFH5300 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 30 | 20 | 2,1 | 1,4 | 40 | 32 | 50 | 3,6 | |
| IRFH7914 | PQFN 5 x 6 A | N-тип | 30 | 20 | 13 | 8,7 | 15 | 12 | 8,3 | 3,1 | |
| IRFH8334 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 13,5 | 9 | 14 | 12 | 7,1 | 3,2 | |
| IRFH7934 | PQFN 5 x 6 A | N-тип | 30 | 20 | 5,1 | 3,5 | 24 | 19 | 20 | 3,1 | |
| IRFH7932 | PQFN 5 x 6 A | N-тип | 30 | 20 | 3,9 | 3,3 | 25 | 20 | 34 | 3,4 | |
| IRFHM8329 | PQFN 3,3x3,3 | N-тип | 30 | 20 | 8,8 | 6,1 | 16 | 13 | 26 | 2,6 | |
| IRFH5302 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 30 | 20 | 3,5 | 2,1 | 32 | 26 | 29 | 3,6 | |
| IRFH8321 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 6,8 | 4,9 | 21 | 17 | 19,4 | 3,4 | |
| IRFH7936 | PQFN 5 x 6 A | N-тип | 30 | 20 | 6,8 | 4,8 | 20 | 16 | 17 | 3,1 | |
| IRLHS6342 | PQFN 2 x 2 | N-тип | 30 | 12 | 19,5 | 15,5 | 8,7 | 6,9 | 11 | 2,1 | |
| IRFH8324 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 6,3 | 4,1 | 23 | 18 | 14 | 3,6 | |
| IRFH8337 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 18,9 | 12,8 | 12 | 9,7 | 4,7 | 3,2 | |
| IRFH8330 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 9,9 | 6,6 | 17 | 14 | 9,3 | 3,3 | |
| IRFH5304 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 30 | 20 | 6,8 | 4,5 | 22 | 17 | 16 | 3,6 | |
| IRFH5306 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 30 | 20 | 13,3 | 8,1 | 15 | 13 | 7,8 | 3,6 | |
| IRFH8325 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 30 | 20 | 7,2 | 5 | 21 | 17 | 15 | 3,6 | |
| IRFH3707 | PQFN 3 x 3 | N-тип | 30 | 20 | 17,9 | 12,4 | 12 | 9,4 | 5,4 | 2,8 | |
| IRLH5034 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 40 | 16 | 3,2 | 2,4 | 29 | 23 | 82 | 3,6 | |
| IRFH5104 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 40 | 20 | 3,5 | 24 | 19 | 53 | 3,6 | ||
| IRFH5204 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 40 | 20 | 4,3 | 22 | 18 | 42 | 3,6 | ||
| IRFH7004 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 40 | 20 | 1,4 | 129 | |||||
| IRFH7446 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 40 | 20 | 3,3 | 65 | |||||
| IRLH7134 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 40 | 16 | 4,9 | 3,3 | 26 | 21 | 39 | 3,6 | |
| IRFH5004 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 40 | 20 | 2,6 | 28 | 23 | 73 | 3,6 | ||
| IRFH7440 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 40 | 20 | 2,4 | 92 | |||||
| IRFH5406 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 60 | 20 | 14,4 | 11 | 9 | 23 | 3,6 | ||
| IRFH5106 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 60 | 20 | 5,6 | 21 | 17 | 50 | 3,6 | ||
| IRLH5036 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 60 | 16 | 5,5 | 4,4 | 20 | 16 | 44 | 3,6 | |
| IRFH5006 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 60 | 20 | 4,1 | 21 | 17 | 67 | 3,6 | ||
| IRFH5206 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 60 | 20 | 6,7 | 16 | 13 | 40 | 3,6 | ||
| IRFH7107 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 75 | 20 | 8,5 | 14 | 11 | 48 | 3,6 | ||
| IRFH5207 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 75 | 20 | 9,6 | 13 | 11 | 39 | 3,6 | ||
| IRFH5007 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 75 | 20 | 5,9 | 17 | 13 | 65 | 3,6 | ||
| IRFH7110 | PQFN 5 x 6 E | N-тип | 100 | 20 | 13,5 | 11 | 58 | 3,6 | |||
| IRFH5210 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 100 | 20 | 14,9 | 10 | 8,1 | 39 | 3,6 | ||
| IRLH5030 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 100 | 16 | 9,9 | 9 | 13 | 11 | 44 | 3,6 | |
| IRFH5053 | PQFN 5 x 6 A | N-тип | 100 | 20 | 18 | 9,3 | 7,4 | 24 | 3,1 | ||
| IRFH5010 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 100 | 20 | 9 | 13 | 11 | 65 | 3,6 | ||
| IRFH5110 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 100 | 20 | 12,4 | 11 | 9 | 48 | 3,6 | ||
| IRFH5015 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 150 | 20 | 31 | 10 | 8,2 | 33 | 3,6 | ||
| IRFH5215 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 150 | 20 | 58 | 5 | 4 | 20 | 3,6 | ||
| IRFH5220 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 200 | 20 | 99,9 | 3,8 | 3 | 20 | 3,6 | ||
| IRFH5020 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 200 | 20 | 55 | 5,1 | 4,1 | 36 | 3,6 | ||
| IRFH5025 | PQFN 5 x 6 B | N-тип | 250 | 20 | 100 | 3,8 | 3,1 | 37 | 3,6 | ||
Выпускаются N-MOSFET-транзисторы на напряжения до 250 В и токи в десятки ампер (таблица 2). Ряд транзисторов предназначен для управления непосредственно от логических уровней напряжения и имеет сопротивление открытого канала в единицы мОм при напряжении «затвор-исток» 2,5 В.
Выпускаются не только одиночные транзисторы, но и сдвоенные P и N-MOSFET (таблица 3).
Таблица 3. Сдвоенные транзисторы и транзисторы с диодом Шоттки| Наименование | Корпус | Тип | Uси, В (макс) | Uзи, В (макс) | Rси макс, мОм | Ic, A (при TA) | Qg, нКл (тип) | Pd, Вт TA=25°C | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Uзи=2,5 В | Uзи=4,5 В | Uзи=10 В | 25°C | 70°C | |||||||
| IRFHS9351 | PQFN 2x2 | 2xP-тип | -30 | 20 | - | 290 | 170 | -2,3 | -1,5 | 1,9 | 1,4 |
| IRLHS6276 | PQFN 2x2 | 2xN-тип | 20 | 12 | 62 | 45 | - | 4,5 | 3,6 | 3,1 | 1,5 |
| IRFHM8363 | PQFN3,3x3,3E | 2xN-тип | 30 | 20 | - | 20,4 | 14,9 | 11 | - | 15 | 2,7 |
| IRLHS6376 | PQFN 2x2 | 2xN-тип | 30 | 12 | 82 | - | - | 3,6 | 2,9 | 2,8 | 1,5 |
| IRFH7911 | PQFN 5x6 C | 2xN-тип | 30 | 20 | - | 14,5 | 8,6 | 13 | 10 | 8,3 | 2,4 |
| IRFHM792 | PQFN3,3x3,3E | 2xN-тип | 100 | 20 | - | - | 195 | 2,3 | 1,8 | 4,2 | 2,3 |
| IRFH5250D | PQFN 5x6 B | N-тип с диодом Шоттки | 25 | 20 | - | 2,2 | 1,4 | 40 | 32 | 39 | 3,6 |
| IRFHM830D | PQFN3,3x3,3E | N-тип с диодом Шоттки | 30 | 20 | - | 7,1 | 4,3 | 20 | 16 | 13 | 2,8 |
| IRFH5302D | PQFN 5x6 B | N-тип с диодом Шоттки | 30 | 20 | - | 3,7 | 2,5 | 29 | 23 | 26 | 3,6 |
Транзисторы со встроенным диодом Шоттки в PQFN-корпусах способны работать с напряжениями до 30 В и протекающими токами вплоть до 40 А.
Заключение
Для достижения низкого уровня брака необходимо выполнять рекомендации по выполнению посадочных мест и трафаретов. Кроме того, монтаж и контроль качества пайки для компонентов, использующих высокотехнологичные PQFN-корпуса, требует дополнительного рентгеновского контроля. Чтобы упростить труд разработчиков, International Rectifier предоставляет варианты исполнения посадочных мест и шаблоны трафаретов для своих PQFN-транзисторов.
Литература
1. Application Note AN-1136. Discrete Power Quad Flat No-Lead (PQFN) and Power SO-8 Board Mounting Application Note. 2012. http://www.irf.com/
2. Application Note AN-1154 Discrete Power Quad Flat No-Lead (PQFN) and Power SO-8 Inspection Application Note. 2011. http://www.irf.com/
3. А. Коробенков, П. Агафонов. Монтаж QFN без дефектов. Поверхностный монтаж №2, 20124. А.Нисан. Стандарты IPC по проектированию и сборке плат с компонентами с контактными площадками на нижней стороне корпуса. Электроника №1, 2012
5. Datasheets по представленным компонентам, взяты с официального сайта International Rectifier http://www.irf.com/.
Получение технической информации, заказ образцов, поставка - e-mail: [email protected]
