Статьи по тематике «Транзисторы»
Новые технологии STMicroelectronics в MOSFET (№2/2013)
Силовые транзисторы MOSFET – то поле, на котором постоянно происходит битва технологий с целью повышения плотности энергии. Пятая модификация известной технологии STMicro MDMesh – это радикальное снижение сопротивления открытого канала за счет уменьшенного расстояния между вставками в пространственной структуре кристалла. Эти транзисторы применяются в преобразователях напряжения, корректорах коэффициента мощности, импульсных источниках питания, автомобильном оборудовании.
Новые стандарты энергосбережения – мотор для развития силовых компонентов (№10/2011)
Бертольд Дюкер, вице-президент компании International Rectifier по европейским продажам, в своем интервью редактору «Новостей электроники» Геннадию Каневскому рассказывает о факторах, определяющих развитие силовой электроники, и о преимуществах продукции IR, а также подтверждает, что Россия остается ключевым регионом для компании.
Новые MOSFET компании IR: широкие выводы, увеличенный ток (№10/2011)
В этом году на рыке появилась новая серия MOSFET в корпусе Wide Lead, имеющем более широкие выводы у стока и истока. За счет этого сопротивление их выводов уменьшилось на 50% по сравнению с TO-262, а максимальный ток транзистора увеличился до 240 А.
Как разработчику заставить работать новые MOSFETs (№10/2011)
В практике разработчика электроники встречаются ситуации, когда новое изделие, призванное заменить в схеме старое, не работает или работает в нежелательном режиме. Почему это происходит, и как избежать этого в отношении транзисторов MOSFET (на примере изделий International Rectifier) рассказывает данная статья.
Новая продукция подчеркнет наше лидерство (№12/2010)
STMicroelectronics – один из признанных мировых лидеров в области силовой электроники, управления питанием и учета электроэнергии. Новинки, которые компания собирается представить на рынке в 2011 году, должны подтвердить высокую репутацию компании. О них информирует разработчиков в своем интервью, данном редактору «Новостей электроники» Геннадию Каневскому, директор по маркетингу и применениям промышленных компонентов и компонентов общего назначения по региону EMEA компании STMicroelectronics Бернгард Раушер.
Новые MOSFETs: нет лавинному пробою (№12/2010)
Новые низковольтные MOSFET-транзисторы линейки STripFET VI DeepGATE от STMicroelectronics производятся по технологии с глубинным затвором. Это привело к снижению сопротивления открытого канала на 10...15% и повышению устойчивости к лавинному пробою.
Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту (№7/2010)
Редактор «Новостей электроники» беседует с вице-президентом компании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бертольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel.
DC/DC-преобразователи SupIRBuck поколения Gen2 в распределенных системах электропитания (№7/2010)
В статье рассматриваются вопросы применения синхронных понижающих DC/DC-преобразователей компании International Rectifier в распределенных системах электропитания. Особое внимание уделяется новым микросхемам поколения Gen2: сериям IR383x, IR384x и IR387x, которые позволяют значительно уменьшить площадь, занимаемую на печатной плате.
Продукция класса HiRel компании International Rectifier (№7/2010)
В статье рассказывается о преимуществах HiRel-продукции компании International Rectifier. В ее состав входят дискретные приборы, интегральные микросхемы и модули, использующиеся в коммерческих, военных, аэрокосмических и других применениях, требующих высокой функциональной надежности.
Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов (№6/2010)
В линейке аналоговых и смешанных интегральных схем, выпускаемых компанией STMicroelectronics, важное место занимают драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов. В статье рассматриваются высоковольтные драйверы компании STM. Основное внимание уделяется современным сериям высо-ковольтных драйверов L638x и L639x.
Высокоэффективные решения на базе транзисторов SuperMESH3™ (№16/2009)
Компания STMicroelectronics является одним из мировых лидеров по выпуску силовых полевых транзисторов. В журнале «Новости Электроники» №14 мы уже знакомили потребителей с новой технологической разработкой MDMESH V (серия M5). Изделия, изготовленные на базе этой технологии, являются частью семейства силовых MOSFET-транзисторов, предназначенных для диапазона напряжений 500...650 В. Новое семейство SuperMESH3™ (серия K3), предназначено для более широкого спектра напряжений от 250 до 1200 В и является более доступным с точки зрения стоимости решением.
Новое поколение MOSFET-транзисторов (№15/2009)
Статья посвящена MOSFET-транзисторам производства компании Texas Instruments, выполненным по новой технологии NexFET. Эта технология существенно улучшает характеристики транзисторов и открывает широкие возможности по совершенствованию низковольтных сильноточных DC/DC-преобразователей.
Развитие технологий транзисторов MOSFET повышает их специализацию (№12/2009)
Новые технологии производства мощных МОП-транзисторов (MOSFET), разработанные компанией International Rectifier, привели к тому, что разработчик электроники может теперь выбрать изделие, наилучшим образом подходящее для конкретного типа применения. О тенденциях развития MOSFET, их оптимальном выборе и допустимых компромиссах рассказывает вице-президент и руководитель группы разработки устройств управления питанием компании International Rectifier Дуг Расселл.
International Rectifier на новом этапе развития (№12/2009)
В данном обзоре кратко освещены изменения, произошедшие в компании International Rectifier за последние два года и определены фокусные направления в группах продуктов. Особое внимание компания уделяет созданию высокотехнологичных продуктов и решений, в частности развитию MOSFETs с эталонными характеристиками.
Новая серия МОП-транзисторов IRFP4xxx с ультранизким сопротивлением канала (№18/2008)
Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и значительно сократить потери проводимости в конверторах.
Новые семейства высокоэфективных низковольтных MOSFET (№18/2008)
В номенклатуре International Rectifier заметную часть составляют низковольтные силовые МОП-транзисторы. Они широко востребованы рынком телекоммуникационного и компьютерного оборудования, на долю которого приходится около 50% поставляемой компанией продукции. Непрерывное ужесточение требований по эффективности и цене источников питания этого оборудования побудило IR существенно расширить номенклатуру низковольтных МОП-транзисторов для поверхностного монтажа. Добавлены новые приборы с лучшими на рынке показателями качество/цена.
