Статьи по тематике «IGBT»
Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту (№7/2010)
Редактор «Новостей электроники» беседует с вице-президентом компании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бертольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel.
DC/DC-преобразователи SupIRBuck поколения Gen2 в распределенных системах электропитания (№7/2010)
В статье рассматриваются вопросы применения синхронных понижающих DC/DC-преобразователей компании International Rectifier в распределенных системах электропитания. Особое внимание уделяется новым микросхемам поколения Gen2: сериям IR383x, IR384x и IR387x, которые позволяют значительно уменьшить площадь, занимаемую на печатной плате.
Продукция класса HiRel компании International Rectifier (№7/2010)
В статье рассказывается о преимуществах HiRel-продукции компании International Rectifier. В ее состав входят дискретные приборы, интегральные микросхемы и модули, использующиеся в коммерческих, военных, аэрокосмических и других применениях, требующих высокой функциональной надежности.
Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов (№6/2010)
В линейке аналоговых и смешанных интегральных схем, выпускаемых компанией STMicroelectronics, важное место занимают драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов. В статье рассматриваются высоковольтные драйверы компании STM. Основное внимание уделяется современным сериям высо-ковольтных драйверов L638x и L639x.
Новые модули компании Semikron для электропривода (№16/2009)
Компания Semikron анонсировала SKiM 63/93 – специализированные модули с повышенной стойкостью к термоциклированию для электрического и гибридного привода мощностью 22...180 кВт.
Транзисторы Trench IGBT компании International Rectifier для промышленных применений (№13/2009)
Универсальные Trench IGBT компании International Rectifier позволяют заменить широкую номенклатуру транзисторов разных частотных диапазонов, которые оптимизированы только для узкоспециализированных приложений. Trench IGBT могут эффективно работать в широком диапазоне рабочих частот ШИМ. Они предназначены для применения в импульсных источниках питания до нескольких кВт, электроприводе, в бытовой технике (компрессоры, индукционный нагрев) и других преобразователях электрической энергии.
Развитие технологий транзисторов MOSFET повышает их специализацию (№12/2009)
Новые технологии производства мощных МОП-транзисторов (MOSFET), разработанные компанией International Rectifier, привели к тому, что разработчик электроники может теперь выбрать изделие, наилучшим образом подходящее для конкретного типа применения. О тенденциях развития MOSFET, их оптимальном выборе и допустимых компромиссах рассказывает вице-президент и руководитель группы разработки устройств управления питанием компании International Rectifier Дуг Расселл.
International Rectifier на новом этапе развития (№12/2009)
В данном обзоре кратко освещены изменения, произошедшие в компании International Rectifier за последние два года и определены фокусные направления в группах продуктов. Особое внимание компания уделяет созданию высокотехнологичных продуктов и решений, в частности развитию MOSFETs с эталонными характеристиками.
Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics (№2/2009)
Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле «ключевыми» элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics.
