Статьи по тематике «MOSFET»
Новые стандарты энергосбережения – мотор для развития силовых компонентов (№10/2011)
Бертольд Дюкер, вице-президент компании International Rectifier по европейским продажам, в своем интервью редактору «Новостей электроники» Геннадию Каневскому рассказывает о факторах, определяющих развитие силовой электроники, и о преимуществах продукции IR, а также подтверждает, что Россия остается ключевым регионом для компании.
Новые MOSFET компании IR: широкие выводы, увеличенный ток (№10/2011)
В этом году на рыке появилась новая серия MOSFET в корпусе Wide Lead, имеющем более широкие выводы у стока и истока. За счет этого сопротивление их выводов уменьшилось на 50% по сравнению с TO-262, а максимальный ток транзистора увеличился до 240 А.
Как разработчику заставить работать новые MOSFETs (№10/2011)
В практике разработчика электроники встречаются ситуации, когда новое изделие, призванное заменить в схеме старое, не работает или работает в нежелательном режиме. Почему это происходит, и как избежать этого в отношении транзисторов MOSFET (на примере изделий International Rectifier) рассказывает данная статья.
В 2012 году STM начинает выпуск силовых модулей на 1200 В и 40 A (№9/2011)
Нужны транзисторы или силовые модули для источника питания с высоким КПД? Необходимо управлять массивом светодиодов, причем разброс значений тока между каналами не должен превышать 1,5%? Больному с глаукомой необходимо круглосуточное точное измерение внутриглазного давления на основе контактного MEMS-датчика? О том, почему во всех этих случаях в первую очередь следует обратиться к решениям STMicroelectronics, рассказывает в интервью редактору «Новостей электроники» Геннадию Каневскому директор по маркетингу (регион EMEA) компании STM Свен Рейнхардт.
Новая продукция подчеркнет наше лидерство (№12/2010)
STMicroelectronics – один из признанных мировых лидеров в области силовой электроники, управления питанием и учета электроэнергии. Новинки, которые компания собирается представить на рынке в 2011 году, должны подтвердить высокую репутацию компании. О них информирует разработчиков в своем интервью, данном редактору «Новостей электроники» Геннадию Каневскому, директор по маркетингу и применениям промышленных компонентов и компонентов общего назначения по региону EMEA компании STMicroelectronics Бернгард Раушер.
Новые MOSFETs: нет лавинному пробою (№12/2010)
Новые низковольтные MOSFET-транзисторы линейки STripFET VI DeepGATE от STMicroelectronics производятся по технологии с глубинным затвором. Это привело к снижению сопротивления открытого канала на 10...15% и повышению устойчивости к лавинному пробою.
Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту (№7/2010)
Редактор «Новостей электроники» беседует с вице-президентом компании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бертольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel.
DC/DC-преобразователи SupIRBuck поколения Gen2 в распределенных системах электропитания (№7/2010)
В статье рассматриваются вопросы применения синхронных понижающих DC/DC-преобразователей компании International Rectifier в распределенных системах электропитания. Особое внимание уделяется новым микросхемам поколения Gen2: сериям IR383x, IR384x и IR387x, которые позволяют значительно уменьшить площадь, занимаемую на печатной плате.
Продукция класса HiRel компании International Rectifier (№7/2010)
В статье рассказывается о преимуществах HiRel-продукции компании International Rectifier. В ее состав входят дискретные приборы, интегральные микросхемы и модули, использующиеся в коммерческих, военных, аэрокосмических и других применениях, требующих высокой функциональной надежности.
Новинки MOSFET в стандартных корпусах (№7/2010)
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время.
Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET (№7/2010)
Большой объем исследований в области корпусирования мощных полупроводниковых приборов ведется компанией International Rectifier, которая в настоящее время выпускает лучшие в отрасли по соотношению «цена-качество» MOSFET-транзисторы. В статье рассматривается технология корпусирования DirectFET, которая обеспечивает рекордную для отрасли эффективность корпуса транзисторов.
Преимущества силовых приборов на базе GaN от International Rectifier (№7/2010)
Размер готового решения можно уменьшить в два раза благодаря сокращению количества пассивных компонентов и использованию меньших индуктивностей. Стремясь к инновациям, сотрудники International Rectifier разработали принципиально новую технологию производства силовых приборов на основе нитрида галлия (GaN), комплексный показатель качества (FOM) которых в несколько раз превосходит современные кремниевые MOSFET. Рентабельные устройства на основе GaN помогут создавать готовые решения, которые сделают прорыв в увеличении КПД силовых устройств. О новой технологии и изделиях на ее базе рассказывает вице-президент Emerging Technologies Group компании IR.
Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов (№6/2010)
В линейке аналоговых и смешанных интегральных схем, выпускаемых компанией STMicroelectronics, важное место занимают драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов. В статье рассматриваются высоковольтные драйверы компании STM. Основное внимание уделяется современным сериям высо-ковольтных драйверов L638x и L639x.
Высокоэффективные решения на базе транзисторов SuperMESH3™ (№16/2009)
Компания STMicroelectronics является одним из мировых лидеров по выпуску силовых полевых транзисторов. В журнале «Новости Электроники» №14 мы уже знакомили потребителей с новой технологической разработкой MDMESH V (серия M5). Изделия, изготовленные на базе этой технологии, являются частью семейства силовых MOSFET-транзисторов, предназначенных для диапазона напряжений 500...650 В. Новое семейство SuperMESH3™ (серия K3), предназначено для более широкого спектра напряжений от 250 до 1200 В и является более доступным с точки зрения стоимости решением.
Новое поколение MOSFET-транзисторов (№15/2009)
Статья посвящена MOSFET-транзисторам производства компании Texas Instruments, выполненным по новой технологии NexFET. Эта технология существенно улучшает характеристики транзисторов и открывает широкие возможности по совершенствованию низковольтных сильноточных DC/DC-преобразователей.
Развитие технологий транзисторов MOSFET повышает их специализацию (№12/2009)
Новые технологии производства мощных МОП-транзисторов (MOSFET), разработанные компанией International Rectifier, привели к тому, что разработчик электроники может теперь выбрать изделие, наилучшим образом подходящее для конкретного типа применения. О тенденциях развития MOSFET, их оптимальном выборе и допустимых компромиссах рассказывает вице-президент и руководитель группы разработки устройств управления питанием компании International Rectifier Дуг Расселл.
International Rectifier на новом этапе развития (№12/2009)
В данном обзоре кратко освещены изменения, произошедшие в компании International Rectifier за последние два года и определены фокусные направления в группах продуктов. Особое внимание компания уделяет созданию высокотехнологичных продуктов и решений, в частности развитию MOSFETs с эталонными характеристиками.
Новые N-канальные MOSFET-транзисторы в корпусах общепромышленного стандарта (№12/2009)
Компания International Rectifier (IR) является признанным мировым лидером в разработке и производстве MOSFET-транзисторов. Отличительной особенностью MOSFET-транзисторов последних лет является сочетание ультранизкого сопротивления открытого канала и высокие динамические характеристики. В статье рассматриваются новые изделия, пополнившие линейку N-канальных MOSFET в последнее время.
Новое поколение низковольтных MOSFET-транзисторов в корпусах SO-8, PQFN и DirectFET (№12/2009)
Обновленная линейка низковольтных силовых MOSFET-транзисторов компании International Rectifier выполнена по улучшенной технологии Trench FET Gen10.59 и с использованием современных технологий корпусирования. Их применение позволит выполнить самые жесткие требования к эффективности и себестоимости конечного решения.
Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics (№2/2009)
Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле «ключевыми» элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics.
Новая серия МОП-транзисторов IRFP4xxx с ультранизким сопротивлением канала (№18/2008)
Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и значительно сократить потери проводимости в конверторах.
Подключение сигнальных цепей в мощных преобразовательных устройствах (№15/2008)
В статье даются рекомендации по трассировке цепей управления, соединяющих контроллер, драйвер и выводы IGBT. Следование этим несложным правилам поможет разработчикам решить ряд основных вопросов, возникающих при проектировании силовых преобразователей.
Данная статья заканчивает цикл материалов [1], посвященных проблемам управления изолированным затвором MOSFET/IGBT. В предыдущих публикациях мы рассматривали методики расчета режимов работы драйвера и выбора элементов затворной цепи.
Обзор продукции компании Vishay (№12/2008)
Интеллектуальные ключи International Rectifier (№11/2008)
Интеллектуальные ключи International Rectifier имеют несколько степеней защиты, оптимизированные для автомобильных приложений диапазоны рабочих напряжений, и не нуждаются в дополнительных драйверах МОП-транзисторов. Эти и другие преимущества позволяют с успехом использовать интеллектуальные ключи в автомобильной электронике и промышленной технике.
Обзор продукции STMICROELECTRONICS (№8/2008)
Микросхемы для индустриального сектора, для автомобилей и бытовой электроники, для сферы телекоммуникаций, а также универсальная продукция - вот те области в которых компания STMicroelectronics занимает ведущие позиции. В каждой из этих областей компания обладает ноу-хау. Наряду с перечисленным, STMicro является одним из крупнейших производителей стандартной продукции
VIPer – новое слово в проектировании импульсных источников питания (№8/2008)
Наиболее востребованным на сегодняшний день направлением в аналоговой продукции можно считать Power management. Именно в этом сегменте компания STMicroelectronics сделала небольшой, но значимый технологический переворот, выпустив уникальные микросхемы серии VIPer для построения импульсных источников питания. Предлагаем вашему вниманию статью, первоначально опубликованную в пятом номере нашего журнала за 2007 год, но не потерявшую своей актуальности.
