Статьи по тематике «IGBT»
Новые стандарты энергосбережения – мотор для развития силовых компонентов (№10/2011)
Бертольд Дюкер, вице-президент компании International Rectifier по европейским продажам, в своем интервью редактору «Новостей электроники» Геннадию Каневскому рассказывает о факторах, определяющих развитие силовой электроники, и о преимуществах продукции IR, а также подтверждает, что Россия остается ключевым регионом для компании.
В 2012 году STM начинает выпуск силовых модулей на 1200 В и 40 A (№9/2011)
Нужны транзисторы или силовые модули для источника питания с высоким КПД? Необходимо управлять массивом светодиодов, причем разброс значений тока между каналами не должен превышать 1,5%? Больному с глаукомой необходимо круглосуточное точное измерение внутриглазного давления на основе контактного MEMS-датчика? О том, почему во всех этих случаях в первую очередь следует обратиться к решениям STMicroelectronics, рассказывает в интервью редактору «Новостей электроники» Геннадию Каневскому директор по маркетингу (регион EMEA) компании STM Свен Рейнхардт.
Транзистор «от шефа»: особенности IGBT компании STMicroelectronics (№9/2011)
Линейка IGBT-транзисторов компании STMicroelectronics включает IGBT с рабочим напряжением 400 В для силовых инверторов, IGBT с рабочим напряжением 600 В для мостовых и полумостовых драйверов управления электродвигателями в стационарных устройствах и IGBT с рабочим напряжением 900...1300 В для силовых модулей и систем управления электродвигателями электромобилей. А если добавить сюда интеллектуальные IGBT-модули SLLIMM мощностью от 300 Вт до 2 кВт для бытовой электротехники и индустриальных применений средней мощности, то понятно, что в IGBT-меню от STM есть блюда на любой вкус.
Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту (№7/2010)
Редактор «Новостей электроники» беседует с вице-президентом компании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бертольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel.
DC/DC-преобразователи SupIRBuck поколения Gen2 в распределенных системах электропитания (№7/2010)
В статье рассматриваются вопросы применения синхронных понижающих DC/DC-преобразователей компании International Rectifier в распределенных системах электропитания. Особое внимание уделяется новым микросхемам поколения Gen2: сериям IR383x, IR384x и IR387x, которые позволяют значительно уменьшить площадь, занимаемую на печатной плате.
Продукция класса HiRel компании International Rectifier (№7/2010)
В статье рассказывается о преимуществах HiRel-продукции компании International Rectifier. В ее состав входят дискретные приборы, интегральные микросхемы и модули, использующиеся в коммерческих, военных, аэрокосмических и других применениях, требующих высокой функциональной надежности.
Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов (№6/2010)
В линейке аналоговых и смешанных интегральных схем, выпускаемых компанией STMicroelectronics, важное место занимают драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов. В статье рассматриваются высоковольтные драйверы компании STM. Основное внимание уделяется современным сериям высо-ковольтных драйверов L638x и L639x.
Новые модули компании Semikron для электропривода (№16/2009)
Компания Semikron анонсировала SKiM 63/93 – специализированные модули с повышенной стойкостью к термоциклированию для электрического и гибридного привода мощностью 22...180 кВт.
Транзисторы Trench IGBT компании International Rectifier для промышленных применений (№13/2009)
Универсальные Trench IGBT компании International Rectifier позволяют заменить широкую номенклатуру транзисторов разных частотных диапазонов, которые оптимизированы только для узкоспециализированных приложений. Trench IGBT могут эффективно работать в широком диапазоне рабочих частот ШИМ. Они предназначены для применения в импульсных источниках питания до нескольких кВт, электроприводе, в бытовой технике (компрессоры, индукционный нагрев) и других преобразователях электрической энергии.
Развитие технологий транзисторов MOSFET повышает их специализацию (№12/2009)
Новые технологии производства мощных МОП-транзисторов (MOSFET), разработанные компанией International Rectifier, привели к тому, что разработчик электроники может теперь выбрать изделие, наилучшим образом подходящее для конкретного типа применения. О тенденциях развития MOSFET, их оптимальном выборе и допустимых компромиссах рассказывает вице-президент и руководитель группы разработки устройств управления питанием компании International Rectifier Дуг Расселл.
International Rectifier на новом этапе развития (№12/2009)
В данном обзоре кратко освещены изменения, произошедшие в компании International Rectifier за последние два года и определены фокусные направления в группах продуктов. Особое внимание компания уделяет созданию высокотехнологичных продуктов и решений, в частности развитию MOSFETs с эталонными характеристиками.
Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics (№2/2009)
Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле «ключевыми» элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics.
